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晶体管
CSD83325L参考图片

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CSD83325L

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
3,000
¥1.7176
5152.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
11.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
2.2 mm
系列
CSD83325L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.15 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
589 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
353 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
711 ns
典型接通延迟时间
205 ns
单位重量
1.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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