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晶体管
SIHG180N60E-GE3参考图片

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SIHG180N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.0464
240.464
100
¥19.7524
1975.24
250
¥19.1309
4782.725
500
¥17.2099
8604.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.3 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG180N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD19536KCS
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥33.5836
10:¥30.1936
100:¥24.6679
250:¥23.1311
参考库存:13989
BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:125466
CSD19532Q5BT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N ch MOSFET
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
250:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:15253
ZXTP2039FTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:21565
IPP60R099CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥53.9462
10:¥48.7934
25:¥46.4882
100:¥40.341
参考库存:4177
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