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晶体管
SIHG180N60E-GE3参考图片

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SIHG180N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥28.9732
28.9732
10
¥24.0464
240.464
100
¥19.7524
1975.24
250
¥19.1309
4782.725
500
¥17.2099
8604.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.3 S
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG180N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5367
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
1:¥6.3732
10:¥5.5144
100:¥3.8194
1,000:¥2.8476
参考库存:12646
MW6S010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4643
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:2770
SUP70060E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4487
RF4E100AJTCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:27754
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