RN1101MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN1101MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1101
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAT14ARZ-R7	Analog Devices	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Matched Mono Quad	1:¥82.1397 10:¥73.9246 25:¥69.5402 50:¥65.3931 1,000:¥52.9405	参考库存:6761
IGP15N60T	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A	1:¥14.5996 10:¥12.3735 100:¥9.9101 500:¥8.6784	参考库存:3773
2PB710ARL,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN	1:¥2.0792 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.40002 3,000:¥0.30736	参考库存:18540
IRF630NSTRLPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC	1:¥8.9157 10:¥7.6727 100:¥5.8986 500:¥5.198 800:¥4.1132	参考库存:8622
BC53-16PA,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A PNP medium power transistors	1:¥3.4578 10:¥2.2374 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.56048	参考库存:11164