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晶体管
BSO080P03S H参考图片

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BSO080P03S H

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
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库存：16,792(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6274
5627.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
- 102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
110 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO080P03S H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:25833
MMRF1023HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
参考库存:25838
A2T18H100-25SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H100-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥855.1501
参考库存:25843
PBSS5160TVL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BL Bipolar Discretes
10,000:¥0.5537
30,000:¥0.51528
50,000:¥0.46104
100,000:¥0.44522
参考库存:25848
FM6L52020L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch Power MOS FET -
1:¥4.1471
10:¥3.0284
100:¥1.9097
500:¥1.5481
10,000:¥1.2204
参考库存:25853
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