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晶体管
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SIA106DJ-T1-GE3

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.4579
54.579
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.4239
1711.95
1,000
¥2.7459
2745.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
18.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SIA106DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS2540M,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:102885
FZ400R12KP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 400A
1:¥799.5993
5:¥784.9206
10:¥749.5742
25:¥724.6803
参考库存:3702
J271
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥31.2784
10:¥25.1312
100:¥20.6677
500:¥18.5207
参考库存:5514
MMBT2222AT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:152861
2DA1797-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT 2.5K
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:38923
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