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晶体管
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VS-GP400TD60S

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
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1
¥1,174.7254
1174.7254
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DIAP
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
758 A
Pd-功率耗散
1.563 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
758 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 750 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GP400TD60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V N-Channel
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
2,500:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:15111
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:44708
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
1,000:¥9.379
参考库存:9890
晶体管
MOSFET BUK764R4-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:21187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:80734
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