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晶体管
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FDN86265P

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
3,000
¥2.3843
7152.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
80 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
系列
FDN86265P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
9.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.9 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，FDN86265P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥47.5617
10:¥42.9513
25:¥40.9512
100:¥35.5724
2,000:¥25.9674
参考库存:14255
IRG4BC30FPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:9052
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
5,000:¥9.9101
参考库存:47349
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:6311
EFC4612R-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
5,000:¥1.6159
参考库存:19463
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