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晶体管
APT37M100L参考图片

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APT37M100L

  • Microsemi
  • 最新
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存：4,420(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥159.2848
159.2848
5
¥152.1432
760.716
10
¥147.3746
1473.746
25
¥135.4644
3386.61
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
305 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.135 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
44 ns
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格，APT37M100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BDW94C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
参考库存:12183
TTC0002(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
1:¥26.3516
10:¥21.2101
100:¥19.2891
200:¥17.4472
参考库存:5140
MJE803G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
参考库存:15907
PSMN015-60BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:21514
IRGP4660DPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
1:¥70.3877
10:¥63.619
25:¥60.7036
100:¥52.7145
参考库存:4511
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