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晶体管
R8008ANX参考图片

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R8008ANX

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:5,824(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.03 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
封装
Bulk
系列
R8008ANX
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
R8008ANX
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,R8008ANX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:36045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:36050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:36055
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥408.7097
2:¥397.5679
5:¥386.5843
10:¥375.5216
参考库存:36060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥329.6436
5:¥313.123
10:¥304.8966
25:¥280.1609
参考库存:36065
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