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晶体管
BSM200GB60DLC参考图片

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BSM200GB60DLC

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数量单价合计
1
¥739.4268
739.4268
5
¥725.8329
3629.1645
10
¥693.1759
6931.759
25
¥670.1239
16753.0975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB60DLCHOSA1 SP000100475
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,BSM200GB60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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MOSFET MOSFET
2,500:¥1.808
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1:¥182.9583
5:¥171.6583
10:¥148.7645
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1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
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3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:41833
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