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晶体管
FMMT591ATA参考图片

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FMMT591ATA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT59
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 1 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 mA, 5 V, 160 at 1 A, 5 V, 30 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,FMMT591ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
2,500:¥3.1527
参考库存:46599
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1,600:¥4.5652
参考库存:46604
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.60681
参考库存:46609
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
3,000:¥3.8081
6,000:¥3.616
9,000:¥3.4804
24,000:¥3.3787
参考库存:46614
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
2,000:¥12.9837
4,000:¥12.4526
参考库存:46619
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