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晶体管
BSM75GAL120DN2参考图片

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BSM75GAL120DN2

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数量单价合计
1
¥625.5567
625.5567
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.4474
5864.474
25
¥566.921
14173.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge GAL 1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GAL120DN2HOSA1 SP000106455
商品其它信息
优势价格,BSM75GAL120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
4,000:¥2.938
参考库存:6436
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:7668
晶体管
IGBT 晶体管 650V 8A IGBT Stop Trench
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.119
1,000:¥5.6161
参考库存:9380
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
参考库存:12822
晶体管
MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:4874
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