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晶体管
IPP80R1K2P7XKSA1参考图片

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IPP80R1K2P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6217
4621.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP80R1K2P7 SP001644606
商品其它信息
优势价格,IPP80R1K2P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
1:¥10.2943
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
参考库存:5065
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:25412
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:4279
晶体管
MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
1,500:¥2.0679
参考库存:5036
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 12V Switching NPN
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:98023
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