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晶体管
IRG4BC40W-SPBF参考图片

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IRG4BC40W-SPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥30.2727
30.2727
10
¥25.7414
257.414
100
¥22.2836
2228.36
250
¥21.2101
5302.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536114
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
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