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晶体管
CSD17507Q5A参考图片

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CSD17507Q5A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5708
357.08
1,000
¥2.8589
2858.9
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
16.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17507Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17507Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC87 LOW VF RECT
1,765:¥2.0905
2,500:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
参考库存:82709
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vbo 80Vceo 4.0Vebo 2.0A 10W
1,000:¥7.6049
2,000:¥7.0738
5,000:¥6.8139
10,000:¥6.554
参考库存:45028
晶体管
MOSFET 16.5V 1.5Ohm
1:¥14.1363
10:¥13.9894
25:¥11.752
100:¥10.6785
3,300:¥6.7122
9,900:查看
参考库存:45033
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.47686
20,000:¥0.45313
参考库存:45038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Pwr
220:¥37.5725
260:¥34.4989
500:¥29.041
参考库存:45043
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