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晶体管
STGB25N40LZAG参考图片

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STGB25N40LZAG

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库存:4,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.25 V
栅极/发射极最大电压
16 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB25N40LZAG
资格
AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB25N40LZAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.76049
20,000:¥0.69947
50,000:¥0.66896
100,000:¥0.64523
参考库存:44766
晶体管
MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
参考库存:6524
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8532
50,000:¥1.8193
参考库存:44773
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.1809
10,000:¥2.1018
25,000:¥2.0227
参考库存:44778
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:44783
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