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晶体管
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RGPR30BM40HRTL

  • ROHM Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
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1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.232
3616
1,000
¥5.7065
5706.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
430 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:47150
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