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晶体管
STF12N120K5参考图片

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STF12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥74.0715
74.0715
10
¥66.9299
669.299
25
¥63.8563
1596.4075
100
¥55.4039
5540.39
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh K5
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF12N120K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:4698
2N834A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40Vcbo 30Vces 5.0Vebo 200mA 300mW
2,000:¥18.5998
4,000:¥17.8992
参考库存:25278
CD8447DR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET QUAD CHANNEL VOLTAGE
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6498
参考库存:402780
2N4856A
InterFET
晶体管
JFET N-Channel 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:25285
DDTD113EU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:25290
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