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晶体管
IRG4BC40WPBF参考图片

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IRG4BC40WPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz
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库存:4,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.2783
29.2783
10
¥24.8939
248.939
100
¥21.5152
2151.52
250
¥20.4417
5110.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541318
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
参考库存:1543
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
1:¥4.2262
10:¥2.8024
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:472240
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:3482
晶体管
MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:9539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:7691
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