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晶体管
IRG4BC20KD-SPBF参考图片

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IRG4BC20KD-SPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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库存:2,706(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.7578
3689.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.27 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545800
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRG4BC20KD-SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 12A N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.5933
参考库存:218905
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8477
参考库存:19467
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
1:¥40.4201
10:¥34.352
100:¥29.8094
250:¥28.2726
400:¥25.3572
参考库存:26449
晶体管
MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:14916
晶体管
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36733
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