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晶体管
DDTD113EU-7-F参考图片

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DDTD113EU-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
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库存:25,290(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.36838
1105.14
9,000
¥0.31527
2837.43
24,000
¥0.29945
7186.8
45,000
¥0.27685
12458.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
1 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
33
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTD113
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DDTD113EU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:3672
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥799.6784
5:¥784.9997
10:¥749.6533
25:¥724.6803
参考库存:2939
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:26158
晶体管
MOSFET TO-leadless MV7 80V
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.4306
250:¥23.1311
2,000:¥16.5997
4,000:查看
参考库存:13080
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