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晶体管
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FCPF11N60T

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库存:6,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.8257
168.257
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
320 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCPF11N60T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
9.7 S
下降时间
56 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
119 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,FCPF11N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 21A LPT
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
1,000:¥22.0576
2,000:查看
参考库存:38230
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW PNP Transistor
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:38235
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 600V 10A
1:¥13.5261
10:¥12.2153
25:¥10.9158
100:¥9.831
参考库存:38240
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:38245
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥260.4876
250:¥239.0515
参考库存:38250
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