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晶体管
ZXTN19020DFFTA参考图片

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ZXTN19020DFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.9607
49.607
100
¥3.1979
319.79
1,000
¥2.5538
2553.8
3,000
¥2.5538
7661.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
190 mV
最大直流电集电极电流
6.5 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN19020
直流电流增益 hFE 最大值
900
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN19020DFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:21080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5652
2,500:¥4.5652
参考库存:6232
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1A
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:15424
晶体管
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.605
10:¥8.1473
100:¥6.2602
500:¥5.537
参考库存:8126
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:11248
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