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晶体管
SQJA82EP-T1_GE3参考图片

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SQJA82EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.0624
2531.2
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
53 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
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