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晶体管
SI1926DL-T1-GE3参考图片

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SI1926DL-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5255
762.75
1,000
¥1.1865
1186.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
370 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
510 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SI1
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
159 ms
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SI1926DL-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144VMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:52658
晶体管
MOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9325
500:¥5.2432
1,000:¥4.1358
2,500:¥3.6612
参考库存:15110
晶体管
IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
参考库存:2872
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5044
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:34041
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