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BD679

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  • 达林顿晶体管 DARLINGTON TRAN
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4014
54.014
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD679
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
1.814 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA144TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42141
CSD17556Q5BT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
250:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.831
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5,000:¥8.8366
参考库存:42146
PH3134-75S
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:42151
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
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IPA65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
500:¥27.3573
1,000:¥23.052
2,500:¥21.8994
参考库存:42161
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