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晶体管
FDBL0630N150参考图片

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FDBL0630N150

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库存:11,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
2,000
¥22.3627
44725.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
169 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
500 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.48 mm
系列
FDBL0630N150
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
850.050 mg
商品其它信息
优势价格,FDBL0630N150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63097
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥283.0763
5:¥272.0136
10:¥261.7984
25:¥240.5883
参考库存:4209
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3
1:¥4.2262
10:¥2.3843
100:¥1.2882
500:¥1.02152
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:25001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:15603
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:15730
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