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晶体管
RGTV60TK65GVC11参考图片

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RGTV60TK65GVC11

  • ROHM Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,326(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥33.3463
333.463
100
¥28.8941
2889.41
250
¥27.4364
6859.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
33 A
Pd-功率耗散
76 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGTV60TK65GVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:1599
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,500:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:10111
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥73.224
10:¥66.2406
25:¥63.0879
100:¥54.7824
参考库存:3338
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:16090
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:23595
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