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晶体管
SQJ500AEP-T1_GE3参考图片

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SQJ500AEP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
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11.526
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2433
724.33
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9268
4926.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms, 22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.3 nC, 45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
65 S, 16 S
下降时间
10 ns, 19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns, 9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 43 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ500AEP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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