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晶体管
FDT459N参考图片

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FDT459N

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4353
54.353
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
4,000
¥2.5764
10305.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT459N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
FDT459N_NL
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FDT459N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.989
6,000:查看
参考库存:15487
晶体管
MOSFET
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:18184
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
800:¥7.5484
参考库存:15186
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.39KA
1:¥5,143.1272
参考库存:3208
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:6845
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