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晶体管
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CSD17309Q3

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
2,500
¥3.3335
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17309Q3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
67 S
开发套件
DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.2 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
单位重量
44.500 mg
商品其它信息
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