PDTC114ET,215详细参数_参考价格_PDTC114ET,215 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	3 mm
宽度	1.4 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTC114ET T/R
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BDW94C	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil	1:¥7.1416 10:¥5.8986 100:¥3.8081 1,000:¥3.0397	参考库存:12183
TTC0002(Q)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V	1:¥26.3516 10:¥21.2101 100:¥19.2891 200:¥17.4472	参考库存:5140
MJE803G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN	1:¥4.3844 10:¥3.6047 100:¥2.3278 1,000:¥1.8645	参考库存:15907
PSMN015-60BS,118	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET	1:¥7.5258 10:¥6.3958 100:¥4.9155 500:¥4.3392 800:¥3.4239	参考库存:21514
IRGP4660DPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC	1:¥70.3877 10:¥63.619 25:¥60.7036 100:¥52.7145	参考库存:4511