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晶体管
MMBT4126-7-F参考图片

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MMBT4126-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -25V 300mW
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数量单价合计
1
¥1.3108
1.3108
10
¥1.2543
12.543
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.29154
291.54
3,000
¥0.22261
667.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT41
直流电流增益 hFE 最大值
360
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT4126-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15794
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
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