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晶体管
IRGB15B60KDPBF参考图片

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IRGB15B60KDPBF

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库存:9,123(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.4255
35.4255
10
¥30.1258
301.258
100
¥26.1256
2612.56
250
¥24.747
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
139 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540650
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRGB15B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
800:¥4.8477
参考库存:36860
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
2,500:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:55957
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:33324
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/PNP
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:12491
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:279233
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