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晶体管
IRG4BC40KPBF参考图片

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IRG4BC40KPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥29.8094
29.8094
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.8259
5206.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
42 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
42 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535642
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC40KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
2,500:¥4.8138
10,000:查看
参考库存:48046
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 2A
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:6008
晶体管
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1930
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 2.2KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:24462
晶体管
MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:36284
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