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晶体管
NVMFS4841NWFT1G参考图片

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NVMFS4841NWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6501
76.501
100
¥5.876
587.6
500
¥5.198
2599
1,500
¥3.6386
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
89 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
112 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVMFS4841N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66.5 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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