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晶体管
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DMN601DWKQ-7

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库存：19,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8871
18.871
100
¥0.81473
81.473
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
304 pC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 ms
下降时间
9.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.7 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，DMN601DWKQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2604
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥91.2814
10:¥82.9872
25:¥76.7609
50:¥72.6138
参考库存:34803
JANS2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥775.6998
5:¥751.4952
10:¥727.2115
25:¥693.255
参考库存:34808
BSM100GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
10:¥999.0782
30:¥978.1732
50:¥978.0941
参考库存:34813
JANTXV2N4261/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥304.2864
250:¥284.0029
参考库存:34818
2N333T2
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:34823
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