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晶体管
STD35P6LLF6参考图片

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STD35P6LLF6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
2,500
¥3.4804
8701
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD35P6LLF6
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
39 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
171 ns
典型接通延迟时间
51.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD35P6LLF6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856BW-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:101793
DRA3144V0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.3787
10:¥1.6385
100:¥1.12209
500:¥0.92208
10,000:¥0.52997
参考库存:52530
RN2402,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:39682
FJN4305RTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:70214
2N4861
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.5978
10:¥75.0772
100:¥62.3195
500:¥56.7825
参考库存:2836
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