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晶体管
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BD139

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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.3165
231.65
1,000
¥1.7854
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD139
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
60 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,075.534
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D3
晶体管
MOSFET 80 mOhm 650V
800:¥15.368
2,400:¥14.5996
4,800:¥14.0572
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3,000:¥9.831
6,000:¥9.4468
9,000:¥9.0626
参考库存:53306
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
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2,500:¥10.9158
5,000:¥10.5316
参考库存:53316
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