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晶体管
DMN4020LFDE-7参考图片

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DMN4020LFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9493
29.493
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.03 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN40
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.1 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
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1:¥3.4578
10:¥2.4634
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30,000:¥0.41471
48,000:查看
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1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
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1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
500:¥22.8938
800:¥22.8938
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晶体管
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1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5484
4,000:¥7.5484
参考库存:7971
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