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晶体管
IRFB3306PBF参考图片

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IRFB3306PBF

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库存:13,001(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4749
6474.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556002
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB3306PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
1,600:¥6.5992
3,200:¥5.6613
5,600:¥5.1754
10,400:¥4.7234
参考库存:36151
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:36156
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥74.5348
250:¥68.0825
500:¥63.7772
1,000:¥56.8616
参考库存:36161
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥155.6801
250:¥143.0806
500:¥131.7806
参考库存:36166
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:7681
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