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晶体管
IRLU8743PBF参考图片

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IRLU8743PBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
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¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
Pd-功率耗散
135 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001573024
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLU8743PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC143TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:260032
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
240:¥56.3983
480:¥53.8671
720:¥49.0985
1,200:¥42.7253
参考库存:43731
PBSS8510PA,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
3,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:43736
AFT09H310-04GSR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
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STB20N60M2-EP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.2942
5,000:¥7.9891
10,000:¥7.684
参考库存:43746
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