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晶体管
IPD036N04LGBTMA1参考图片

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IPD036N04LGBTMA1

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数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3845
638.45
500
¥5.6387
2819.35
2,500
¥3.955
9887.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
78 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
零件号别名
G IPD036N04L IPD36N4LGXT SP000387945
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD036N04LGBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
暂无价格
参考库存:47402
晶体管
IGBT 模块
1:¥5,082.74
5:¥4,776.3744
参考库存:47407
晶体管
MOSFET 650V N channel Mosfet
15,000:¥2.2148
24,375:¥2.1583
参考库存:47412
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 1A 30W
5,000:¥1.6385
10,000:¥1.6159
参考库存:47417
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vds 20Vgs 2.0W
7,500:¥0.89157
10,000:¥0.83733
25,000:¥0.7684
50,000:¥0.73789
100,000:¥0.70738
参考库存:47422
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