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晶体管
CSD87502Q2参考图片

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CSD87502Q2

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V Dual N ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.5199
251.99
1,000
¥1.9549
1954.9
3,000
¥1.6724
5017.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.0 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD87502Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87502Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
1:¥65.8564
10:¥59.2459
25:¥54.014
50:¥50.3302
参考库存:1349
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.5935
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:15136
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4558
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:3635
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4752
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