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晶体管
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FDMD82100L

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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.3736
143.736
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
3,000
¥7.7631
23289.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-12
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Dual
商标名
PowerTrench Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
5 mm
系列
FDMD82100L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
单位重量
82.320 mg
商品其它信息
优势价格，FDMD82100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
500:¥20.2835
参考库存:5138
DSA7003S0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.3786
参考库存:26443
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4845
MMST8098T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SURFACE MOUNT
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:18642
MCQ4503-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET N&P-Channel MOSFET, SOP-8 package
4,000:¥1.6498
参考库存:26452
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