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晶体管
FDB082N15A参考图片

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FDB082N15A

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库存:9,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB082N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.300 g
商品其它信息
优势价格,FDB082N15A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:53352
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:18104
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:5181
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:9633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 60V NPN/PNP
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥2.1809
参考库存:17010
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