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晶体管
IRGP4068DPBF参考图片

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IRGP4068DPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
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数量单价合计
1
¥53.6298
53.6298
10
¥48.4883
484.883
25
¥46.1831
1154.5775
100
¥40.115
4011.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535818
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4068DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15794
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
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1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
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