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产品分类

晶体管
JANTXV2N2219/TR参考图片

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JANTXV2N2219/TR

  • Microsemi
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:42,694(价格仅供参考)
数量单价合计
142
¥101.3497
14391.6574
250
¥92.434
23108.5
500
¥86.445
43222.5
1,000
¥79.3034
79303.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
325 at 1 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 100 uA, 10 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTXV2N2219/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.3789
10:¥6.0342
100:¥4.633
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:29447
晶体管
MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:14184
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:1631
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥14.1363
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
2,000:¥5.9777
4,000:查看
参考库存:11383
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:2585
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