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晶体管
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IPB06P001LATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 281 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
74 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
277 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
IPB06P001L
商品其它信息
优势价格,IPB06P001LATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
3,000:¥0.22261
42,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:41544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥96.3551
10:¥87.5976
25:¥80.9871
50:¥76.614
参考库存:41549
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:41554
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle PNP, -100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:41559
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V .7A
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
8,000:¥1.2882
24,000:查看
参考库存:41564
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