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晶体管
SISH402DN-T1-GE3参考图片

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SISH402DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:29,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.0342
60.342
100
¥4.633
463.3
500
¥3.9889
1994.45
1,000
¥3.1527
3152.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.15 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,SISH402DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:12841
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥57.0876
10:¥51.5619
25:¥49.1776
100:¥42.7253
参考库存:11038
晶体管
MOSFET NCH 0.9V DRIVE SERIE
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:70640
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 12A 0.104R
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2205
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:17792
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:5539
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